Tower Semiconductor计划投资40亿美元在日本建设光连接枢纽，目标到2029年将产出提高40倍。 · Digist

首页

EN 中文日本語登录注册

Tower Semiconductor计划投资40亿美元在日本建设光连接枢纽，目标到2029年将产出提高40倍。

Tower Semiconductor

Anton Shilov / Tom's Hardware：Tower Semiconductor将投资40亿美元在日本建设光连接枢纽，目标到2029年产量增长40倍；产能扩张使Tower成为关键供应商……

产能扩张使Tower成为亚洲高带宽网络基础设施的关键供应商。

原文 · Smithwire · 科技 · 22 天前