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中国以DUV多重曝光实现5纳米级密度,但经济性制约进一步推进

中国仅靠DUV光刻结合多重曝光实现5纳米级密度,但经济性制约进一步进展

多重曝光技术延伸了旧设备的能力,但成本上升和良率取舍限制了其超越当前节点密度的可行性。

原文 · Smithwire · 2 小时前

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