Digist
首页
EN
中文
日本語
登录
注册
中国以DUV多重曝光实现5纳米级密度,但经济性制约进一步推进
中国仅靠DUV光刻结合多重曝光实现5纳米级密度,但经济性制约进一步进展
多重曝光技术延伸了旧设备的能力,但成本上升和良率取舍限制了其超越当前节点密度的可行性。
原文
· Smithwire · 2 小时前
请改进
点一下哪里不对。也可以补一句。
翻译不准
有乱码
标签不对
和主题无关
提交
关闭